Theme 2. 显示工艺
第二十二个概念: 蚀刻(Etching)
蚀刻(Etching): 在TFT的电路图案生成工艺中保留必要的部分，利用腐蚀液去除其余不必要部分的一种过程。
蚀刻工艺是利用腐蚀液去除TFT基板上的电路冗余物质的过程。TFT基板在完成曝光和显影工艺后，会在与掩膜版图案相对应的部分上方留下光刻胶成分，以此保护蚀刻工序中该位置底部的电路材料不被移除。随后，利用腐蚀液去除残留图案中的光刻胶成分，最终电路就完成了。总而言之，蚀刻工艺是根据掩膜版的图案创建电路图案的步骤。
干式蚀刻和湿式蚀刻的区别
蚀刻工艺分为湿式蚀刻和干式蚀刻。湿式蚀刻是利用溶液进行化学反应的方法，干式蚀刻是通过气体等反应性气体的蚀刻方法。在干式蚀刻中，设备将基板移入真空腔内，并在该空间内注入蚀刻用气体，通过在气体中高压放电这样就形成了等离子状态，该空间内的电离气体具有很高的运动能量。基板上的电极将此电离物质加速，用以切断电路物质中原子的结合，形成蚀刻。该方法适用于加工大多数具有高分辨率显示特性的TFT基板。
| 湿法蚀刻 | 干法蚀刻 | |
| 方式 | 使用溶液的化学反应 | 使用气体的物理和化学反应 |
| 优点 | 成本低 工艺时间较短 工艺过程简单 | 精准度高 可实现精细图形 |
| 缺点 | 准确度较低 化学物质具备污染的可能性 | 成本高 工艺时间较长 工艺过程复杂 |
湿式蚀刻与干式蚀刻相比，具有工艺成本低、工艺过程相对简单等优点。然而，湿式蚀刻的准确度比干式蚀刻低。因为湿式蚀刻可能会受到化学物质将TFT污染，而干式蚀刻只能蚀刻所需的部分，因此后者可以更细致地实现微电路蚀刻模式。随后TFT基板在蚀刻过程后将经过PR剥离过程。
