[小讲座 #19] 光刻胶(Photoresist)

光刻胶(Photoresist): 一种感光材料，在光线照射下会发生化学变化。主要是显示屏在TFT(薄膜晶体管)形成微型电路的光刻工艺中使用。

光刻胶作为一种感光化学材料，在光线照射下会发生化学性质的变化，如胶体变硬或易融化。曝光过程是指光刻胶接受光线时发生物理和化学变化的一种现象。作为控制像素亮度的核心半导体元件TFT(薄膜晶体管)的必备制程材料，光刻胶可用于在TFT基板上制作类似版画的立体微型电路图形。

光刻工艺的核心材料，光刻胶

光刻胶可分为受光线照射而溶解消失的阳性材料和不受光照溶解而消失的阴性材料。在光刻工艺中，在曝光区和非曝光区选择性溶解的显影(Develop)过程非常重要。阳性光刻胶涂布的基板通过显影过程中使用的显影液，其中受光线照射的区域光刻胶材料消失，而掩膜板没有光线照射的区域最终形成掩膜板图案。当涂布有阴性光刻胶的基板暴露在光照后，该区域则会决定以上图形。随后经过刻蚀(Etch)、去除(Strip)步骤光刻胶会被去除，TFT层叠结构会全部制作完成。